欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BUZ11 参数 Datasheet PDF下载

BUZ11图片预览
型号: BUZ11
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 30A , 50V , 0.040 Ohm的N通道功率MOSFET [30A, 50V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 84 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第6页  
BUZ11
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
BUZ11
漏极至源极击穿电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DS
漏极至栅极电压(R
GS
= 20k
) (注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
T
C
= 30
o
C. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲(注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
连续漏电流
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
DIN湿度类别 - DIN 40040 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
IEC气候类别 - DIN IEC 68-1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ,见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
50
50
30
120
±
20
75
0.6
-55到150
E
55/150/56
300
260
o
C
o
C
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
测试条件
I
D
= 250
µ
A,V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安(图9)
T
J
= 25
o
C,V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
T
J
= 125
o
C,V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
门源漏电流
漏极至源极导通电阻(注2 )
正向跨导(注2 )
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS ( ON)
政府飞行服务队
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
R
θ
JA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V中,f = 1MHz的(图10)
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
I
D
= 15A ,V
GS
= 10V (图8)
V
DS
= 25V ,我
D
= 15A (图11)
V
CC
= 30V ,我
D
3A ,V
GS
= 10V ,R
GS
= 50
Ω,
R
L
= 10
50
2.1
-
-
-
-
4
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
3
20
100
10
0.03
8
30
70
180
130
1500
750
250
1.67
75
最大
-
4
250
1000
100
0.04
-
45
110
230
170
2000
1100
400
单位
V
V
µ
A
µ
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
电气连接特定的阳离子
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项:
2.脉冲测试:脉冲宽度
300毫秒,占空比
2%.
3.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线(图3 ) 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD
t
rr
Q
RR
T
C
= 25
o
C
T
C
= 25
o
C
T
J
= 25
o
C,我
SD
= 60A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25
o
C,我
SD
= 30A ,二
SD
/ DT = 100A /
µ
s,
V
R
= 30V
测试条件
-
-
-
-
-
典型值
-
-
1.7
200
0.25
最大
30
120
2.6
-
-
单位
A
A
V
ns
µ
C
©2001仙童半导体公司
BUZ1版本A