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    BUZ11 参数 Datasheet PDF下载

    BUZ11图片预览
    型号： BUZ11
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 30A ， 50V ， 0.040 Ohm的N通道功率MOSFET [30A, 50V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 84 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第6页  
    BUZ11
    典型性能曲线
    I
    DS （ON ） ，
    漏源电流（A ）
    20
    脉冲持续时间为80μs =
    占空比= 0.5 ％ MAX
    V
    DS
    = 25V
    除非另有规定编
    （续）
    0.15
    r
    DS （ ON）
    ，通态电阻（ Ω ）
    脉冲持续时间为80μs =
    占空比= 0.5 ％ MAX
    V
    GS
    = 5V
    5.5V
    6V
    6.5V
    7V
    7.5V
    8V
    9V
    10V
    20V
    15
    0.10
    10
    0.05
    5
    0
    0
    1
    3
    4
    5
    6
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    2
    7
    8
    0
    0
    20
    40
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    60
    图6.传热特性
    图7.漏极至源极导通电阻VS门
    电压和漏极电流
    V
    GS （ TH）
    ，栅极阈值电压（ V）
    0.08
    脉冲持续时间为80μs =
    占空比= 0.5 ％ MAX
    I
    D
    = 15A ，V
    GS
    = 10V
    0.06
    4
    V
    DS
    = V
    GS
    I
    D
    = 1毫安
    r
    DS （ ON）
    ，漏极到源极
    导通电阻（ Ω ）
    3
    0.04
    2
    0.02
    1
    0
    -50
    0
    50
    100
    150
    0
    -50
    0
    50
    100
    150
    T
    J
    ，结温（
    o
    C)
    T
    J
    ，结温（
    o
    C)
    图8.漏极至源极导通电阻VS
    结温
    图9.栅极阈值电压VS结
    温度
    10
    1
    g
    fs
    ，跨导（ S）
    10
    8
    脉冲持续时间为80μs =
    占空比= 0.5 ％ MAX
    V
    DS
    = 25V
    T
    J
    = 25
    o
    C
    C，电容（ NF）
    10
    0
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    6
    4
    10
    -1
    V
    GS
    = 0V ， F = 1MHz的
    C
    国际空间站
    = C
    GS
    + C
    GD
    C
    RSS
    = C
    GD
    C
    OSS
    ≈
    C
    DS
    + C
    GD
    0
    10
    20
    30
    40
    2
    10
    -2
    0
    0
    5
    10
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    15
    20
    V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图10.电容VS漏源极电压
    图11.跨VS漏极电流
    ©2001仙童半导体公司
    BUZ1版本A

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