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FDS9926A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDS9926A
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内容描述: 双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET [Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
文件页数/大小: 5 页 / 117 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS9926A
典型特征
20
2.4
V
GS
= 4.5V
2.5V
V
GS
= 2.0V
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
16
I
D
,漏电流( A)
3.5
12
3.0V
8
2.0V
4
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
,漏源极电压( V)
2
0
5
10
I
D
, DIRAIN电流(A)
15
20
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.11
1.6
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
I
D
= 6.5A
V
GS
= 4.5V
I
D
= 3.25A
0.09
1.4
1.2
0.07
T
A
= 125 C
0.05
o
1
0.8
0.03
T
A
= 25
o
C
0.01
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
T
J
,结温( C)
125
150
1
2
3
4
5
V
GS
,门源电压( V)
图3.导通电阻变化与
温度。
20
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
T
A
= -55 C
125 C
I
D
,漏电流( A)
15
o
I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= 5V
o
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125 C
1
25
o
C
0.1
-55 C
0.01
0.001
0.0001
o
o
25
o
C
10
5
0
1
1.5
2
2.5
V
GS
,门源电压( V)
3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS9926A版本E( W)