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NDS9435A 参数 Datasheet PDF下载

NDS9435A图片预览
型号: NDS9435A
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内容描述: 单P沟道增强型场效应晶体管 [Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 10 页 / 221 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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电气特性
(T
符号
参数
开关特性
A
= 25 ° C除非另有说明)
条件
典型值
最大
单位
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V,I
D
= -250 µA
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -15 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 70°C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 µA
T
J
= 125°C
V
GS
= -10 V,I
D
= -5.3 A
T
J
= 125°C
V
GS
= -6 V,I
D
= -4.7 A
V
GS
= -4.5 V,I
D
= -4.2 A
-30
-1
-5
100
-100
V
µA
µA
nA
nA
门 - 体泄漏,正向
门 - 体泄漏,反向
基本特征
(注2 )
栅极阈值电压
-1
-0.7
-1.4
-1
0.038
0.054
0.046
0.064
0.05
0.1
0.07
0.09
V
静态漏源导通电阻
I
D(上)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
GS
= -10 V, V
DS
= -5 V
V
GS
= -4.5, V
DS
= -5V
V
DS
= 15 V,I
D
= 5.3 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
-20
-5
10
950
610
220
A
S
pF
pF
pF
30
60
120
100
40
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
动态特性
开关特性
(注2 )
V
DD
= -15 V,I
D
= -1 A,
V
= -10 V ,R
= 6
10
18
80
45
V
DS
= -15 V,
I
D
= -5.3 A,V
GS
= -10 V
29
3
9
NDS9435A版本B