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    PC817 参数 Datasheet PDF下载

    PC817图片预览
    型号： PC817
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 集成的临界模式PFC /准谐振电流模式PWM控制器 [Integrated Critical-Mode PFC / Quasi-Resonant Current-Mode PWM Controller]
    分类和应用： 光电功率因数校正输出元件控制器
    文件页数/大小： 17 页 / 676 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号PC817的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PC817的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PC817的Datasheet PDF文件第7页浏览型号PC817的Datasheet PDF文件第8页浏览型号PC817的Datasheet PDF文件第10页浏览型号PC817的Datasheet PDF文件第11页浏览型号PC817的Datasheet PDF文件第12页浏览型号PC817的Datasheet PDF文件第13页  
    AN-6920
    应用说明
    MOSFET的非导通时间
    (t
    关闭
    )
    FAN6920具有MOSFET的最小非导通时间
    （ 5秒） ，在此期间导通的MOSFET被禁止。
    为了最大限度地提高效率，就必须打开
    的MOSFET ，在MOSFET的第一波谷的漏 - 源
    电压在重负载条件。因此，在MOSFET
    非导通时，在重负载条件下应
    超过5秒多。
    在确定˚F
    S.QRmin
    和T
    F
    中，最大占空比
    计算公式如下：
    在设计变压器时，最大磁通密度
    摆动在正常操作（B）中，以及最大磁通
    密度过性（B
    最大
    ）应予以考虑。该
    在正常运行的最大磁通密度摆幅相关
    以磁滞损耗的芯子，而最大磁通
    密度在瞬态相关的磁芯饱和。
    匝的变压器初级的最小数目
    侧，以避免在整个温度范围中的核心由下式给出：
    N
    P
    民
    D
    最大
    =
    V
    RO
    ⋅
    (1
    −
    f
    S
    .
    QR
    民
    ⋅
    t
    F
    )
    V
    RO
    +
    V
    O
    .
    PFC
    .
    L
    2
    L
    m
    I
    DS PK
    =
    A
    e
    ∆
    B
    (
    26
    )
    (
    20
    )
    哪里
    B
    在特斯拉的最大磁通密度摆幅。
    如果没有基准数据，可以使用
    B
    =0.25~0.30T.
    一旦匝数为初级侧的最小数目是
    确定，计算适当的整数
    N
    S
    从而使
    RESULTING
    N
    P
    大于
    N
    PMIN
    如：
    然后，在初级侧的电感被获得为：
    L
    m
    =
    η
    QR
    ⋅
    (
    V
    O
    .
    PFC
    .
    L
    ⋅
    D
    最大
    )
    2
    ⋅
    f
    S
    .
    QR
    民
    P
    OUT
    (
    21
    )
    一旦
    L
    m
    被确定时，最大峰值电流和
    RMS电流MOSFET的正常运行是
    得到：
    N
    P
    =
    n
    ⋅
    N
    S
    ＆ GT ;
    N
    P
    民
    (
    27
    )
    I
    DS PK
    =
    V
    O
    .
    PFC
    .
    L
    ⋅
    D
    最大
    L
    m
    f
    S
    .
    QR
    民
    D
    最大
    3
    辅助的圈绕组V的数量
    DD
    is
    给定为：
    (
    22
    )
    N
    AUX
    (
    23
    )
    V
    +
    V
    FA
    =
    DD
    ⋅
    N
    S
    (
    V
    O
    +
    V
    F
    )
    喃
    (
    28
    )
    I
    DS RMS
    =
    I
    DS PK
    MOSFET的非导通时间在重负载和低
    线被获得为：
    其中，V
    DDNOM
    是标称V
    DD
    电压，对范围内
    12 〜20V ，和V
    FA
    是V正向压降
    DD
    二极管，
    1V左右。
    一旦初级绕组的圈数是
    测定时，最大磁通密度时的漏极
    电流达到其脉冲逐个脉冲电流限制水平应
    进行检查，以确保变压器不饱和
    在瞬变或故障状态。
    的最大磁通密度（B
    最大
    ）时，漏极电流
    达到我
    LIM
    被给定为：
    t
    关闭
    .
    L
    =
    (1
    −
    D
    最大
    )
    f
    S
    .
    QR分钟
    (
    24
    )
    MOSFET的非导通时间在重负载和
    PFC输出的高电压（V
    O.PFC.H
    ）被获得为：
    t
    关闭
    .
    H
    =
    t
    关闭
    .
    L
    ⋅
    V
    O
    .
    PFC
    .
    L
    V
    O
    .
    PFC
    .
    H
    +
    V
    RO
    ⋅
    V
    O
    .
    PFC
    .
    H
    V
    O
    .
    PFC
    .
    L
    +
    V
    RO
    (
    25
    )
    B
    最大
    =
    L
    m
    I
    LIM
    ＆ LT ;
    B
    SAT
    A
    e
    N
    P
    (
    29
    )
    为了保证在第一谷值开关在高线
    重负载条件下，叔
    OFF.H
    应大于5秒大。
    B
    最大
    应比饱和磁通密度较小。
    如果没有基准数据，可以使用
    B
    SAT
    =0.35~0.40T.
    （设计范例）
    设定的最低频率是
    为65kHz和下降时间是1秒，并且假定
    V
    O.PFC.L
    =300V:
    D
    最大
    =
    =
    V
    RO
    V
    RO
    民
    ⋅
    (1
    −
    f
    S
    .
    QR
    ⋅
    t
    F
    )
    +
    V
    O
    .
    PFC
    .
    L
    240
    ⋅
    (1
    −
    70
    ×
    10
    3
    ⋅
    1
    ×
    10
    −
    6
    )
    =
    0.413
    240
    +
    300
    QR反激式转换器图14.开关时间
    © 2010仙童半导体公司
    修订版1.0.0 • 2011年3月10日
    www.fairchildsemi.com
    9

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