摩托罗拉
半导体
技术参数
1500瓦MOSORB
综合参数适用于所有系列中
本组
1N6373A
系列
1500 WATT
峰值功率
MOSORB
齐纳管
短暂
抑制器
6.2-250伏
1500瓦峰值功率
5瓦稳态
齐纳瞬态电压抑制器
单向和双向
Mosorb设备旨在保护电压敏感元件由高电压
年龄，高能量瞬变。他们有出色的钳位能力，高浪涌capabili-
TY ，低阻抗齐纳和快速响应时间。这些设备是摩托罗拉独家的，
高性价比，高可靠性的Surmetic轴向引线封装，是理想的适合于使用
在通信系统中，数值控制，过程控制，医疗设备，
商用机器，电源和许多其它工业/消费应用，以
保护CMOS ， MOS和双极型集成电路。
规格特点：
•
标准电压范围 - 6.2〜 250 V
•
峰值功率 - 1500瓦@ 1毫秒
•
最大钳位电压@峰值脉冲电流
•
低漏< 5
µA
上述10 V
•
UL认证
•
响应时间通常< 1纳秒
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
极性：
阴极指示的极性带。当齐纳二极管模式中操作，将
相对于阳极正
安装位置：
任何
晶圆厂地点：
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点：
墨西哥瓜达拉哈拉
最大额定值
等级
峰值功耗（ 1 ）
@ TL
≤
25°C
稳定状态下的功耗
@ TL
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
上述TL降额= 75℃
正向浪涌电流（ 2 ）
@ TA = 25°C
工作和存储温度范围
铅的温度不超过1/16以下“从壳体10秒230℃
注：按照图5 1.非重复性电流脉冲及以上按照图2 TA = 25°C降额。
注意事项：
2. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
CASE 41A
塑料
符号
PPK
PD
价值
1500
5
50
单位
瓦
瓦
毫瓦/°C的
安培
°C
IFSM
TJ ， TSTG
200
- 65〜 +175
粗体，斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500瓦峰值功率数据表
4-1
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
