1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
1000
500
I Z ，齐纳电流（ AMPS ）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
∆V
Z，瞬加在VZ VZ以上（ NOM ） （伏）
1
0.7
0.5
0.3
降额因子
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10
µs
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
D，占空比（ ％ ）
20
TL = 25°C
TP = 10
µs
VZ （ NOM ）= 6.8至13 V
20 V
43 V
24 V
1000
500
I Z ，齐纳电流（ AMPS ）
200
100
50
20
10
5
2
1
TL = 25°C
TP = 10
µs
1N6267A/1.5KE6.8A
通过
1N6303A/1.5KE200A
VZ （ NOM ）= 6.8至13 V
20 V
24 V
43 V
75 V
180 V
120 V
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
∆V
Z，瞬加在VZ VZ以上（ NOM ） （伏）
图6.动态阻抗
脉冲宽度
10毫秒
1毫秒
100
µs
50
100
图7.典型的降额因子的占空比
应用笔记
响应时间
在大多数应用中，瞬变抑制器装置是
平行放置，所述设备或部件被亲
tected 。在这种情况下，有一个与相关联的时间延迟
该器件的电容和过冲情况─
sociated与所述设备和所述电感器的电感
的连接方法。电容效应是次要的
在并联保护方案的重要性，因为它仅
产生中的时间延迟从所述操作过渡电压
年龄到钳位电压为如图A所示。
在器件中的电感效应是由于实际的导通
所需的设备的时间（时间去从零电流到全
电流）和引线电感。这种诱导效应产生
在两端的电压的设备的过冲或
部件的保护，如图B.最小化
这种过冲是在应用程序中非常重要，因为
用于把一个瞬态抑制器主要目的是夹紧
电压尖峰。这些器件具有优良的响应时间，
通常在皮秒范围和可忽略的电感。
但是，外部感应效果可能会产生不可接受
能过冲。正确的电路布局，最小导线长度
500瓦峰值功率数据表
4-4
及将所述抑制器装置尽可能接近的
设备或部件被保护将最大限度地减少这种
过冲。
由寻代表的一些输入阻抗是必要的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高，而不限制电路OP-
累加器。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，
通过的曲线所指示的峰值功率必须减少
图7.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表，通常给出可能
归一化，并用于此目的。
乍一看图7的降额曲线似乎是在
误差为10毫秒的脉冲具有比所述较高的降级因数
10
µs
脉搏。然而，当给出一个降额因子
脉冲图7的相乘的峰值功率值
图1为相同的脉冲，其结果遵循预期
的趋势。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
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