飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFE6VP8600H
第1版， 9/2011
RF功率LDMOS晶体管
高耐用性N - 通道
增强 - 模式横向的MOSFET
优化的宽带运营从470到860兆赫。设备具有
集成输入匹配网络更好的电源分配。这些设备
理想地适合于在模拟或数字电视发射机使用。
•
典型的窄带性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 1400毫安，
信道带宽= 8 MHz的输入信号PAR = 9.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。 ACPR测量在7.61 MHz信号带宽@
±4
MHz偏移为4千赫的积分带宽。
信号类型
DVB - T（ 8K OFDM ）
P
OUT
(W)
125的魅力。
f
（兆赫）
860
G
ps
（ dB）的
19.3
η
D
(%)
30.0
ACPR
（ DBC）
--60.5
IRL
（ dB）的
--12
MRFE6VP8600HR6
MRFE6VP8600HR5
MRFE6VP8600HSR6
MRFE6VP8600HSR5
470-
-860兆赫， 600 W， 50 V
LDMOS宽带
射频功率晶体管
•
典型的脉冲宽带性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 1400毫安，
脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 10 ％
信号类型
脉冲
P
OUT
(W)
600峰
f
（兆赫）
470
650
860
G
ps
（ dB）的
19.3
20.0
18.8
η
D
(%)
47.1
53.1
48.9
CASE 375D-
-05 ，风格1
NI-
-1230
MRFE6VP8600HR6
特点
•
能够处理>65 ：1 VSWR通过所有相位角@ 50伏直流电，
860 MHz的DVB - T（ 8K OFDM ） 240瓦的魅力。输出功率（3 dB输入
从额定P催
OUT
)
•
出色的效率为AB类模拟或数字电视运营
•
整个完整的UHF电视的频谱全部性能， 470--860兆赫
•
能600瓦CW输出功率与适当的热管理
•
集成的输入匹配
•
扩展负栅 - 中--6.0 V至+10 V电源电压范围
−
提高C级的性能，例如在多尔蒂峰值阶段
−
使放大器的快速，简便，完全关断
•
从20 V特点，以50 V的工作范围内的使用
与漏极调制
•
卓越的热特性
•
符合RoHS
•
在磁带和卷轴。 R6后缀= 150个单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
R5后缀= 50单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
P
D
T
J
价值
--0.5, +130
--6.0, +10
--65到150
150
1052
5.26
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
W
W / ℃，
°C
（ TOP VIEW ）
注意：该包的背面是
源极端子的晶体管。
CASE 375E-
-04 ，风格1
NI-
-1230S
MRFE6VP8600HSR6
部分推挽
-PULL
1号门3
1排水管1
2号门4
2排水管2
图1.引脚连接
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&
工具/开发工具/计算器按产品访问MTTF计算器。
©
飞思卡尔半导体公司， 2011。保留所有权利。
MRFE6VP8600HR6
MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
