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YG862C08R 参数 Datasheet PDF下载

YG862C08R图片预览
型号: YG862C08R
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内容描述: 肖特基二极管 [Schottky Barrier Diode]
分类和应用: 整流二极管肖特基二极管局域网
文件页数/大小: 6 页 / 531 K
品牌: FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
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YG862C08R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
Forward Characteristic
(typ.)
10
5
Reverse Characteristic
(typ.)
Tj=150℃
10
10
4
Tj=125℃
Tj=100℃
(A)
IF
Forward Current
Tj=150℃
1
Tj=125℃
Tj=100℃
Tj=25℃
Reverse Current
(μA)
10
3
10
2
Tj= 25℃
10
1
0.1
IR
10
0
10
-1
0.01
0.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
VR
Reverse Voltage
(V)
VF
Forward Voltage
(V)
Forward Power Dissipation (max.)
7
Reverse Power Dissipation (max.)
4
DC
360°
VR
I
0
λ
360°
6
α
(W)
Square
wave λ=60°
Square wave
λ=120°
Sine
wave λ=180°
Square
wave λ=180°
(W)
3
5
4
Reverse Power Dissipation
Forward Power Dissipation
α=180°
2
3
DC
2
WF
1
Per 1element
0
0
1
2
3
4
5
6
PR
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
I�½�
Average Forward Current
(A)
VR
Reverse Voltage
(V)
3