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    NJ30L 参数 Datasheet PDF下载

    NJ30L图片预览
    型号： NJ30L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅结型场效应晶体管的低噪声，高增益放大器 [Silicon Junction Field-Effect Transistor Low-Noise, High Gain Amplifier]
    分类和应用： 晶体放大器晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 127 K
    品牌： INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
     浏览型号NJ30L的Datasheet PDF文件第1页  
    01/99
    F-17
    NJ30L​​过程
    硅结型场效应晶体管
    漏极电流为V的功能
    DS
    V
    GS （ OFF ）
    = Ð2.5 V
    G
    fs
    作为V的函数
    GS （ OFF ）
    10
    跨导为mS
    15
    V
    GS
    = Ø V
    漏电流，单位为mA
    12
    V
    GS
    = –0.5 V
    9
    V
    GS
    = –1.0 V
    6
    V
    GS
    = –1.5 V
    3
    V
    GS
    = –2.0 V
    0
    5
    10
    15
    20
    9
    8
    7
    6
    5
    0
    –1
    –2
    –3
    –4
    –5
    –6
    漏源极电压伏特
    门源截止电压伏特
    饱和漏电流V的功能
    GS （ OFF ）
    在毫秒正向跨导
    饱和漏电流，单位为mA
    35
    30
    25
    20
    15
    10
    5
    0
    –1
    –2
    –3
    –4
    –5
    –6
    10
    8
    6
    转发Tranconductance与漏电流
    I
    DSS
    = 10毫安
    I
    DSS
    = 16毫安
    I
    DSS
    = 24毫安
    4
    2
    0.1
    1
    漏电流，单位为mA
    10
    20
    漏源截止电压伏特
    输入电容为V的功能
    GS
    7
    在pF的电容反馈
    输入电容单位为pF
    6
    V
    DS
    = 5 V
    5
    V
    DS
    = 15 V
    4
    3
    2.5
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    反馈电容作为V的功能
    GS
    V
    DS
    = 5 V
    V
    DS
    = 15 V
    0
    4
    8
    12
    16
    0
    –4
    –8
    – 12
    – 16
    门源电压伏特
    门源电压伏特

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