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    2SA1184 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1184图片预览
    型号： 2SA1184
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 140 K
    品牌： ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
     浏览型号2SA1184的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SA1184的Datasheet PDF文件第3页  
    Inchange Semiconductor
    Product Specification
    Silicon PNP Power Transistors
    CHARACTERISTICS
    Tj=25℃ unless otherwise specified
    SYMBOL
    PARAMETER
    CONDITIONS
    MIN
    TYP.
    2SA1184
    MAX
    UNIT
    V
    (BR)CEO
    Collector-emitter breakdown voltage
    I
    C
    =-10mA; I
    B
    =0
    -120
    V
    V
    (BR)EBO
    Emitter-base breakdown voltage
    I
    E
    =-10μA; I
    C
    =0
    -5
    V
    V
    CEsat
    Collector-emitter saturation voltage
    I
    C
    =-500mA; I
    B
    =-50mA
    B
    -1.0
    V
    V
    BE
    Base-emitter on voltage
    I
    C
    =-500mA ; V
    CE
    =-5V
    -1.0
    V
    I
    CBO
    Collector cut-off current
    V
    CB
    =-120V; I
    E
    =0
    -1
    μA
    I
    EBO
    Emitter cut-off current
    V
    EB
    =-5V; I
    C
    =0
    -1
    μA
    h
    FE
    DC current gain
    I
    C
    =-100mA ; V
    CE
    =-5V
    80
    240
    f
    T
    Transition frequency
    I
    C
    =-0.1A ; V
    CE
    =5V
    120
    MHz
    2

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