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2N6304 参数 Datasheet PDF下载

2N6304图片预览
型号: 2N6304
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内容描述: 射频与微波离散小功率三极管 [RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波
文件页数/大小: 4 页 / 86 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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2N6304
FUNCTIONAL
Symbol
Test Conditions
Min.
Maximum Unilateral Gain (1)
Maximum Available Gain
Insertion Gain
IC = 14 mAdc, VCE = 10
Vdc, f = 500 MHz
IC = 14 mAdc, VCE = 10
Vdc, f = 500 MHz
IC = 14 mAdc, VCE = 10
Vdc, f = 500 MHz
Value
Typ.
14
13
10
Max.
-
-
-
Unit
dB
dB
dB
G
U max
-
-
9
MAG
2
|S
21
|
Table 1. Common Emitter S-Parameters, @ VCE = 10 V, IC = 14 mA
f
S11
(MHz)
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
|S11|
0.430
0.269
0.212
0.192
0.164
0.153
0.170
0.146
0.226
0.075
∠φ
-46
-58
-61
-69
-76
-78
-87
-94
-119
152
S21
|S21|
13.18
8.27
5.35
3.85
3.34
2.92
2.34
1.85
2.66
1.26
∠φ
119
97
86
77
77
66
58
55
56
36
S12
|S12|
0.013
0.019
0.024
0.032
0.036
0.042
0.042
0.052
0.065
0.062
∠φ
61
50
55
50
45
42
40
40
25
13
S22
|S22|
0.875
0.773
0.749
0.735
0.72
0.725
0.729
0.713
0.757
0.763
∠φ
-25
-38
-50
-63
-76
-89
-104
-120
-136
-153
MSC1323.PDF 10-25-99