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2SK3479 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SK3479
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内容描述: 切换N沟道功率MOSFET [SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 78 K
品牌: NEC [ NEC ]
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2SK3479
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
120
dT - Percentage of Rated Power - %
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
150
P
T
- Total Power Dissipation - W
100
80
60
40
20
125
100
75
50
25
0
20
40
60
80
100
120 140 160
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
- Case Temperature -
˚C
T
C
- Case Temperature - ˚C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
1000
I
D(pulse)
I
D
- Drain Current - A
100
0
d
µ
s
ite V)
1
m
im 10
I
D(DC)
L=
s
10
n)
Po
S
(o
m
DS
V
G
Li we DC
s
m r
R at
ite Di
(
ss
d
ip
at
io
n
10
PW
=
10
µ
s
10
1
T
C
= 25˚C
Single Pulse
0.1
0.1
1
10
100
1000
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
r
th(t)
- Transient Thermal Resistance - ˚C/W
100
R
th(ch-A)
= 83.3˚C/W
10
1
R
th(ch-C)
= 1˚C/W
0.1
Single Pulse
0.01
10
µ
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D15077EJ1V0DS
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