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M29W640GT60ZA6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W640GT60ZA6E图片预览
型号: M29W640GT60ZA6E
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内容描述: 64兆位(8MB X8或X16 4Mb的,页) 3V供应闪存 [64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 90 页 / 1676 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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Command Interface  
M29W640GH, M29W640GL, M29W640GT, M29W640GB  
Figure 7. Chip Enable controlled Program waveforms (8-bit mode)  
3rd cycle  
4th cycle  
PA  
Data Polling  
PA  
tAVAV  
A0-A20/  
A–1  
555h  
tAVEL  
tELAX  
tWLEL  
tGHEL  
tEHWH  
W
G
tELEH  
tEHEL1  
E
tDVEH  
tWHWH1  
DQ7  
DQ0-DQ7/  
DQ8-DQ15  
D
AOh  
PD  
tEHDX  
OUT  
AI12780  
1. Only the third and fourth cycles of the Program command are represented. The Program command is followed by the check  
of Status register Data Polling bit.  
2. PA is address of the memory location to be programmed. PD is the data to be programmed.  
3. DQ7 is the complement of the data bit being programmed to DQ7 (see Section 5.1: Data Polling Bit (DQ7)).  
4. Addresses differ in x8 mode.  
5. See Table 19: Write ac characteristics and Table 18: Read ac characteristics for details on the timings.  
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