欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MC74HC165AFG 参数 Datasheet PDF下载

MC74HC165AFG图片预览
型号: MC74HC165AFG
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器高性能硅栅CMOS [8−Bit Serial or Parallel−Input/ Serial−Output Shift Register High−Performance Silicon−Gate CMOS]
分类和应用: 移位寄存器触发器逻辑集成电路光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 135 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号MC74HC165AFG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MC74HC165AFG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MC74HC165AFG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MC74HC165AFG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MC74HC165AFG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MC74HC165AFG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MC74HC165AFG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MC74HC165AFG的Datasheet PDF文件第9页  
MC74HC165A
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î
Î
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Î Î
Î Î Î Î
Î
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î
Symbol
V
OL
Parameter
Test Conditions
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
Guaranteed Limit
v
85_C
0.1
0.1
0.1
– 55 to 25_C
0.1
0.1
0.1
v
125_C
0.1
0.1
0.1
Unit
V
Maximum Low−Level Output
Voltage
V
in
= V
IH
or V
IL
|I
out
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
or V
IL
|I
out
|
v
2.4 mA
|I
out
|
v
4.0 mA
|I
out
|
v
5.2 mA
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
0.40
0.40
0.40
I
in
Maximum Input Leakage
Current
V
in
= V
CC
or GND
V
in
= V
CC
or GND
I
out
= 0
mA
±
0.1
4
±
1.0
40
±
1.0
160
mA
mA
I
CC
Maximum Quiescent Supply
Current (per Package)
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(C
L
= 50 pF, Input t
r
= t
f
= 6 ns)
Symbol
f
max
Parameter
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
Guaranteed Limit
v
85_C
4.8
17
24
28
– 55 to 25_C
6
18
30
35
v
125_C
4
15
20
24
Unit
Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle)
(Figures 1 and 8)
MHz
t
PLH
,
t
PHL
Maximum Propagation Delay, Clock (or Clock Inhibit) to Q
H
or Q
H
(Figures 1 and 8)
150
52
30
26
175
58
35
30
150
52
30
26
75
27
15
13
10
190
63
38
33
220
70
44
37
190
63
38
33
95
32
19
16
10
225
65
45
38
265
72
53
45
225
65
45
38
110
36
22
19
10
ns
t
PLH
,
t
PHL
Maximum Propagation Delay, Serial Shift/Parallel Load to Q
H
or Q
H
(Figures 2 and 8)
ns
t
PLH
,
t
PHL
Maximum Propagation Delay, Input H to Q
H
or Q
H
(Figures 3 and 8)
ns
t
TLH
,
t
THL
Maximum Output Transition Time, Any Output
(Figures 1 and 8)
ns
C
in
Maximum Input Capacitance
pF
NOTES:
1. For propagation delays with loads other than 50 pF, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
2. Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Typical @ 25°C, V
CC
= 5.0 V
C
PD
Power Dissipation Capacitance (Per Package)*
40
pF
* Used to determine the no−load dynamic power consumption: P
D
= C
PD
V
CC2
f + I
CC
V
CC
. For load considerations, see Chapter 2 of the
ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
4