2N3055, MJ2955
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
*OFF CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 1)
(I
C
= 200 mAdc, I
B
= 0)
V
CEO(sus)
V
CER(sus)
I
CEO
I
CEX
60
70
−
−
−
0.7
Vdc
Vdc
mAdc
mAdc
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 1)
(I
C
= 200 mAdc, R
BE
= 100
W)
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 30 Vdc, I
B
= 0)
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 100 Vdc, V
BE(off)
= 1.5 Vdc)
(V
CE
= 100 Vdc, V
BE(off)
= 1.5 Vdc, T
C
= 150°C)
Emitter Cutoff Current
(V
BE
= 7.0 Vdc, I
C
= 0)
−
−
−
1.0
5.0
5.0
I
EBO
mAdc
*ON CHARACTERISTICS
(Note 1)
DC Current Gain
(I
C
= 4.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
(I
C
= 10 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
h
FE
−
20
5.0
70
−
Collector−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 4.0 Adc, I
B
= 400 mAdc)
(I
C
= 10 Adc, I
B
= 3.3 Adc)
Base−Emitter On Voltage
(I
C
= 4.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
SECOND BREAKDOWN
V
CE(sat)
−
V
BE(on)
−
1.1
3.0
1.5
Vdc
Vdc
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased
(V
CE
= 40 Vdc, t = 1.0 s, Nonrepetitive)
I
s/b
2.87
−
Adc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain − Bandwidth Product
(I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
*Small−Signal Current Gain
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
f
T
2.5
15
10
−
MHz
−
h
fe
120
−
*Small−Signal Current Gain Cutoff Frequency
(V
CE
= 4.0 Vdc, I
C
= 1.0 Adc, f = 1.0 kHz)
f
hfe
kHz
*Indicates Within JEDEC Registration. (2N3055)
1. Pulse Test: Pulse Width
v
300
ms,
Duty Cycle
v
2.0%.
20
50
ms
10
6
4
2
1
0.6
0.4
0.2
6
BONDING WIRE LIMIT
THERMALLY LIMITED @ T
C
= 25°C (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMIT
10
20
40
V
CE
, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
60
500
ms
250
ms
dc
1 ms
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate I
C
− V
CE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 2 is based on T
C
= 25°C; T
J(pk)
is
variable depending on power level. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be
derated for temperature according to Figure 1.
Figure 2. Active Region Safe Operating Area
http://onsemi.com
2
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
