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MMBT5551LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT5551LT1图片预览
型号: MMBT5551LT1
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内容描述: 高电压晶体管 [High Voltage Transistors]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 101 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBT5550LT1, MMBT5551LT1
500
300
h FE, DC CURRENT GAIN
200
100
−55
°C
50
30
20
10
7.0
5.0
0.1
T
J
= 125°C
25°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 5.0 V
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
3.0
2.0
5.0
7.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
20
30
50
70
100
Figure 1. DC Current Gain
VCE , COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
I
B
, BASE CURRENT (mA)
2.0
5.0
10
20
50
I
C
= 1.0 mA
10 mA
30 mA
100 mA
Figure 2. Collector Saturation Region
10
1
V
CE
= 30 V
IC, COLLECTOR CURRENT (
µ
A)
10
0
10
−1
10
−2
10
−3
10
−4
10
−5
0.4
T
J
= 125°C
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.8
I
C
= I
CES
T
J
= 25°C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
75°C
REVERSE
25°C
FORWARD
0.4
0.2
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.3
0.2 0.1
0
0.1
0.2 0.3
0.4
V
BE
, BASE−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0.5
0.6
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
50
100
Figure 3. Collector Cut−Off Region
Figure 4. “On” Voltages
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