MMBT5401LT1G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MMBT5401LT1G
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内容描述：	高压晶体管（ PNP硅） [High Voltage Transistor(PNP Silicon)]
分类和应用：	晶体小信号双极晶体管开关光电二极管高压
文件页数/大小：	6 页 / 95 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

MMBT5401LT1

200

150

= 125°C

h FE, CURRENT GAIN

100

−55

°C

= − 1.0 V

= − 5.0 V

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

2.0

3.0

5.0

, COLLECTOR CURRENT (mA)

100

25°C

Figure 1. DC Current Gain

VCE , COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0

, BASE CURRENT (mA)

2.0

5.0

= 1.0 mA

10 mA

30 mA

100 mA

Figure 2. Collector Saturation Region

IC, COLLECTOR CURRENT (

= 125°C

−1

−2

−3

0.3

75°C

REVERSE

25°C

FORWARD

= 30 V

= I

CES

0.2

0.1

0.1 0.2 0.3 0.4

0.5

, BASE−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

0.6

0.7

Figure 3. Collector Cut−Off Region

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