MMBT5551LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MMBT5551LT1
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内容描述：	高压晶体管（ NPN硅） [High Voltage Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用：	晶体小信号双极晶体管高压
文件页数/大小：	6 页 / 202 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

MMBT5550LT1 MMBT5551LT1

2.5

V，温度系数（毫伏/

2.0

1.5

1.0

0.5

– 0.5

– 1.0

– 1.5

– 2.0

– 2.5

0.1

0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0

10 20 30

IC ，集电极电流（毫安）

100

10.2 V

VIN

µs

输入脉冲

TR ， TF

≤

10纳秒

占空比= 1.0 ％

0.25

µF

VBB

– 8.8 V

100

5.1 k

VIN

100

1N914

VCC

30 V

3.0 k

VOUT

TJ = - 55 ° C至+ 135°C的

VC的VCE （SAT）

VB的VBE （SAT）

显示的数值为IC @ 10毫安

图5.温度系数

图6.开关时间测试电路

100

C，电容（pF ）

1000

TJ = 25°C

500

300

T， TIME （ NS ）

200

100

科博

0.2 0.3 0.5

TD @ VEB （关闭） = 1.0 V

VCC = 120 V

TR @ VCC = 30 V

IC / IB = 10

TJ = 25°C

TR @ VCC = 120 V

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.2

CIBO

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0

1.0

VR ，反向电压（伏）

20 30 50

2.0 3.0 5.0 10

IC ，集电极电流（毫安）

100

200

图7的电容

图8.导通时间

5000

3000

2000

TF @ VCC = 30 V

1000

T， TIME （ NS ）

500

300

200

100

0.2 0.3 0.5

TS @ VCC = 120 V

TF @ VCC = 120 V

IC / IB = 10

TJ = 25°C

20 30 50

1.0 2.0 3.0 5.0

IC ，集电极电流（毫安）

100

200

图9.开启，关闭时间

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