MMBT5551LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MMBT5551LT1
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内容描述：	高压晶体管（ NPN硅） [High Voltage Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用：	晶体小信号双极晶体管高压
文件页数/大小：	6 页 / 202 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

MMBT5550LT1 MMBT5551LT1

对于采用SOT- 23表面贴装封装信息

推荐的最低足迹表面安装应用程序

表面贴装电路板布局是总的关键部分

设计。占地面积为半导体封装必须

为保证适当的焊料连接的正确大小

电路板和封装之间的接口。与

正确的垫几何，包会自我调整的时候

经受回流焊接工艺。

0.037

0.95

0.037

0.95

0.079

2.0

0.035

0.9

0.031

0.8

英寸

SOT–23

SOT- 23功耗

采用SOT -23的功耗的功能

焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化

焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。

功耗用于表面贴装器件，确定

由TJ （最大值）的最大额定结温

死，R

θJA

从器件结的热阻

环境，以及工作温度TA 。使用

所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观，

PD可以计算如下：

PD =

TJ（MAX） - TA

θJA

焊接注意事项

焊料的熔融温度比额定高

温度的装置。当整个装置被加热

到很高的温度，不内完成焊接

短的时间内可能会导致器件失效。因此，该

下列项目应始终以观察到

最小化的热应力，以使设备

受。

•

总是预热装置。

•

预热之间的温度增量

焊接应为100 ℃或更低。 *

•

在预热和焊接，对温度

引线和外壳必须不超过最大

温度额定值上所示的数据表。当

采用红外加热与回流焊接方法，

的差值应为最大10 ℃。

•

焊接温度和时间应不超过

260 ℃下进行10秒以上。

•

当从预热焊接移位时，

最大温度梯度应为5 ℃或更小。

•

焊接完成后，该设备应

可以使其自然冷却至少三分钟。

逐渐冷却应作为采用强制

冷却将增加的温度梯度，从而导致

在潜失效由于机械应力。

•

机械应力或冲击不应在被应用

冷却。

*进行焊接装置无需预热可导致过度

热冲击和应力，这可能导致损坏

装置。

该方程的值被发现的最大

评级表上的数据表。这些值代入

该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以

计算在此所述装置的功率耗散

情况是225毫瓦。

PD =

150°C – 25°C

556°C/W

= 225毫瓦

为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用

玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹

板实现了225毫瓦的功耗。那里

其他选择实现更高的功率耗散

从SOT- 23封装。另一个替代方案是

使用陶瓷基板或铝芯板如

热复合™ 。使用的基板材料，如热

包层，铝芯板，功耗可

翻倍使用相同的足迹。

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