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2SD1480 参数 Datasheet PDF下载

2SD1480图片预览
型号: 2SD1480
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内容描述: 硅NPN三重扩散平面类型(功率放大) [Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 2 页 / 48 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SD1480的Datasheet PDF文件第1页  
功率晶体管
P
C
- TA
40
5
(1) T
C
= TA
(2)在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
(3)同一个50
×
50
×
2mm
铝散热器
( 4 )不带散热片
(P
C
=2.0W)
T
C
=25˚C
5
I
B
=100mA
80mA
3
50mA
40mA
2
30mA
20mA
1
5
0
0
25
50
75
100
125
150
(3)
(4)
0
0
2
4
6
8
10
12
10mA
5mA
1mA
0
0
0.5
1.0
1.5
25˚C
T
C
=100˚C
4
–25˚C
2SD1480
I
C
— V
CE
6
V
CE
=4V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
35
30
25
20
15
10
(2)
(1)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
4
3
2
1
2.0
2.5
3.0
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/I
B
=10
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
T
C
=100˚C
25˚C
10000
h
FE
— I
C
1000
V
CE
=4V
300
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.01 0.03
f
T
— I
C
V
CE
=10V
f=1MHz
T
C
=25˚C
正向电流传输比H
FE
1000
300
100
30
10
3
1
0.01 0.03
T
C
=100˚C
25˚C
–25˚C
–25˚C
0.1
0.3
1
3
10
0.1
0.3
1
3
10
过渡频率f
T
(兆赫)
3000
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
安全操作区( ASO )
100
30
10
2
非重复脉冲
T
C
=25˚C
R
日(T )
— t
( 1 )不带散热片
(2)在一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
(1)
热阻R
th
(吨)( C / W)
集电极电流I
C
(A)
10
I
CP
3
I
C
1
0.3
0.1
0.03
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
DC
1ms
t=10ms
10
(2)
1
10
–1
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
时间t (S )
2