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    2SK1405 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1405图片预览
    型号： 2SK1405
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 92 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1405  
    Reverse Drain Current vs.  
    Source to Drain Voltage  
    20  
    16  
    12  
    8
    Pulse Test  
    VGS  
    = 0, –5 V  
    10 V  
    4
    0
    0
    0.4  
    0.8  
    1.2  
    1.6  
    2.0  
    Source to Drain Voltage VSD (V)  
    Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width  
    3
    1
    Tc = 25°C  
    D = 1  
    0.5  
    0.3  
    0.1  
    θch – c (t) = γ s (t) • θch – c  
    0.05  
    θch – c = 2.08°C/W, Tc = 25°C  
    PW  
    D =  
    PDM  
    T
    0.03  
    0.01  
    PW  
    T
    10 µ  
    100 µ  
    1 m  
    10 m  
    100 m  
    1
    10  
    Pulse Width PW (S)  
    Switching Time Test Circuit  
    Waveform  
    90%  
    Vout  
    Monitor  
    Vin Monitor  
    10%  
    10%  
    D.U.T.  
    Vin  
    RL  
    Vout  
    10%  
    VDD  
    = 30 V  
    Vin  
    10 V  
    50 Ω  
    90%  
    90%  
    t
    t
    t
    d(off)  
    t
    f
    d(on)  
    r
    Rev.3.00 May 15, 2006 page 5 of 6  

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