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HAT2029R 参数 Datasheet PDF下载

HAT2029R图片预览
型号: HAT2029R
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内容描述: 硅N沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 97 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT2029R
主要特点
功率与温度降额
4.0
100
测试条件:
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6毫米) , PW
10 s
30
10
0
µ
s
最高安全工作区
10
µs
P沟(W)的
I
D
(A)
3.0
10
3
1
DC
PW
1m
s
散热通道
Op
=
er
漏电流
2.0
1
Dr
香港专业教育学院
1.0
Op
er
at
io
n
0
0
50
100
150
200
(P
W
操作
1
5
这个区域是
0
0.3
s)
限于由R
DS ( ON)
0.1
TA = 25°C
0.03 1次脉冲
1驱动器操作
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
at
离子
10
ms
环境温度
典型的输出特性
50
10 V
6V
5V
4V
脉冲测试
50
(A)
(A)
2
Dr
香港专业教育学院
er
Op
io
at
n
100
的Ta (℃)
漏源极电压
V
DS
(V)
注5 :
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
典型的传输特性
40
3.5 V
40
TC = -25°C
25°C
I
D
I
D
30
3V
30
75°C
漏电流
20
2.5 V
2V
V
GS
= 1.5 V
漏电流
20
10
10
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
V
DS ( ON)
(V)
脉冲测试
0.4
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
0.2
脉冲测试
0.1
0.05
V
GS
= 2.5 V
4V
0.5
漏源极电压
0.3
0.02
0.01
0.005
0.2
I
D
= 5 A
0.1
2A
0
0
2
4
6
8
10
1A
0.002
0.2
0.5
1
2
5
10
20
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.6.00 2005年9月7日第3页7