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HAT2029R 参数 Datasheet PDF下载

HAT2029R图片预览
型号: HAT2029R
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内容描述: 硅N沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 97 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT2029R
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.10
脉冲测试
0.08
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | ( S)
50
TC = -25°C
20
10
5
25°C
0.06
I
D
= 5 A
0.04
V
GS
= 2.5 V
2A
1A
75°C
2
1
0.5
0.2
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.5
1
2
5
10
20
0.02
4V
0
–40
0
40
1 A, 2 A, 5 A
80
120
160
外壳温度
Tc
(°C)
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
10000
3000
1000
300
100
30
10
CRSS
西塞
科斯
体漏二极管的反向
恢复时间
反向恢复时间trr ( NS )
500
100
50
20
10
5
0.1
的di / dt = 20A /
µs
V
GS
= 0 , TA = 25℃
0.2
0.5
1
2
5
10
电容C (PF )
200
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
I
D
= 7.5 A
V
DD
= 5 V
10 V
20 V
V
DD
= 20 V
10 V
5V
8
开关特性
V
GS
(V)
10
500
TD (关闭)
tf
tr
TD (上)
50
40
开关时间t( NS )
200
100
50
漏源极电压
30
V
DS
20
6
4
V
GS
2
栅极至源极电压
20
10
5
0.1
10
0
0
4
8
12
16
20
0
V
GS
= 4 V, V
DD
= 10 V
PW = 3
µs,
1 %
0.2
0.5
1
2
5
10
栅极电荷
QG ( NC )
漏电流
I
D
(A)
Rev.6.00 2005年9月7日第4 7