HFD1N65 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HFD1N65
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内容描述：	650V N沟道MOSFET [650V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 759 K
品牌：	SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]

HFD1N65 / HFU1N65

Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms

DUT

Driver

Same Type

as DUT

• dv/dt controlled by R

• I

controlled by pulse period

( Driver )

Gate Pulse Width

D = --------------------------

Gate Pulse Period

10V

, Body Diode Forward Current

( DUT )

di/dt

Body Diode Reverse Current

( DUT )

Body Diode Recovery dv/dt

Body Diode

Forward Voltage Drop

◎

SEMIHOW REV.A0,Apr 2006

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