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SIM100D12SV1 参数 Datasheet PDF下载

SIM100D12SV1图片预览
型号: SIM100D12SV1
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内容描述: 半桥IGBT [HALF-BRIDGE IGBT]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 502 K
品牌: SEMIWELL [ SEMIWELL SEMICONDUCTOR ]
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Preliminary
SIM100D12SV1
Fig 9. Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1Mhz
Fig 10. Typical Gate Charge vs. V
GE
I
CE
= 60A; L = 600µH
Fig 11. Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 125℃; L = 200µH; V
CE
= 600V
R
G
= 3.9Ω; V
GE
= 15V
Fig 12. Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 125℃; L = 200µH; V
CE
= 600V
I
CE
= 100A; V
GE
= 15V
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