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IRL3803S 参数 Datasheet PDF下载

IRL3803S图片预览
型号: IRL3803S
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内容描述: HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 9 页 / 8269 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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IRL3803S/L
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T
+
ƒ
-
+
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
‚
-
-
„
+

R
G
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
+
-
V
DD
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
V
GS
=10V
*
D.U.T. I
SD
Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. V
DS
Waveform
Diode Recovery
dv/dt
V
DD
Re-Applied
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Forward Drop
Ripple
5%
I
SD
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
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