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    STN4416 参数 Datasheet PDF下载

    STN4416图片预览
    型号： STN4416
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    内容描述： STN4416是采用高密度， DMOS沟槽技术生产的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [STN4416 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 966 K
    品牌： STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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    STN4416
    N Channel Enhancement Mode MOSFET
    10A
    ABSOULTE MAXIMUM RATINGS
    (Ta = 25℃ Unless otherwise noted )
    Parameter
    Drain-Source Voltage
    Gate-Source Voltage
    Continuous Drain Current (TJ=150℃)
    Pulsed Drain Current
    Continuous Source Current (Diode Conduction)
    Power Dissipation
    Operation Junction Temperature
    Storgae Temperature Range
    Thermal Resistance-Junction to Ambient
    TA=25℃
    TA=70℃
    TA=25℃
    TA=70℃
    Symbol
    VDSS
    VGSS
    ID
    Typical
    20
    ±12
    1.0
    7.2
    35
    2.3
    2.5
    1.6
    150
    -55/150
    80
    Unit
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    ℃
    ℃
    ℃/W
    IDM
    IS
    PD
    TJ
    TSTG
    RθJA
    STANSON TECHNOLOGY
    120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA
    www.stansontech.com
    Copyright © 2007, Stanson Corp.
    STN4416 2009. V1

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