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    STM8S105C4B3 参数 Datasheet PDF下载

    STM8S105C4B3图片预览
    型号： STM8S105C4B3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 接入线路， 16兆赫STM8S 8位MCU ，最多32 KB闪存，集成的EEPROM ， 10位ADC ，定时器， UART ， SPI ， I²C [Access line, 16 MHz STM8S 8-bit MCU, up to 32 Kbytes Flash, integrated EEPROM,10-bit ADC, timers, UART, SPI, I²C]
    分类和应用： 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
    文件页数/大小： 127 页 / 1323 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ ST ]
     浏览型号STM8S105C4B3的Datasheet PDF文件第79页浏览型号STM8S105C4B3的Datasheet PDF文件第80页浏览型号STM8S105C4B3的Datasheet PDF文件第81页浏览型号STM8S105C4B3的Datasheet PDF文件第82页浏览型号STM8S105C4B3的Datasheet PDF文件第84页浏览型号STM8S105C4B3的Datasheet PDF文件第85页浏览型号STM8S105C4B3的Datasheet PDF文件第86页浏览型号STM8S105C4B3的Datasheet PDF文件第87页  
    STM8S105xx  
    Electrical characteristics  
    Symbol Parameter  
    Conditions  
    Min Typ  
    Max  
    Unit  
    VIH  
    Input high level  
    voltage  
    0.7 x  
    VDD  
    VDD + 0.3  
    V
    V
    Vhys  
    Rpu  
    Hysteresis(1)  
    Pull-up resistor  
    700  
    mV  
    kΩ  
    ns  
    VDD = 5 V, VIN = VSS  
    30  
    45  
    60  
    tR, tF  
    Rise and fall  
    time(10 % - 90 %)  
    Fast I/Os load = 50 pF  
    20 (2)  
    125 (2)  
    Standard and high sink  
    I/OsLoad = 50 pF  
    ns  
    Ilkg  
    Input leakage  
    current, analog  
    and digital  
    VSS ≤ VIN ≤ VDD  
    ±1 (2)  
    µA  
    Ilkg ana Analog input  
    leakage current  
    VSS ≤ VIN ≤ VDD  
    ±250 (2)  
    nA  
    µA  
    Ilkg(inj) Leakage current in Injection current ±4 mA  
    adjacent I/O(2)  
    ±1(2)  
    (1) Hysteresis voltage between Schmitt trigger switching levels. Based on characterization  
    results, not tested in production.  
    (2) Data based on characterization results, not tested in production.  
    Figure 24: Typical VIL and VIH vs VDD @ 4 temperatures  
    DocID14771 Rev 9  
    83/127  

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