功能概述
3.1.4.1
PGE封装存储器映射
该PGE封装采用较16K字节的异步存储器线性地址14位地址
每个CE空间。由于地址的行/列复用,用于SDRAM器件的地址范围为4M字节
每个CE空间。它可以与一个PGE包5509A中使用的最大SDRAM器件是128M比特
SDRAM 。
字节地址
(十六进制)
†
000000
0000C0
DARAM / HPI访问
008000
DARAM
‡
010000
SARAM
§
040000
外
¶
- CE0
400000
外
¶
- CE1
800000
外
¶
- CE2
C00000
外
¶
- CE3
FF0000
只读存储器
||
(如果MPNMC = 0)
FF8000
只读存储器
||
(如果MPNMC = 0)
FFC000
外
¶
- CE3
(如果MPNMC = 1)
16K字节
外
¶
- CE3
(如果MPNMC = 1)
16K字节
外
¶
- CE3
(如果MPNMC = 1)
16K字节 - 异步
4M字节 - SDRAM ( MPNMC = 1 )
4M字节 - 64K字节,如果内部ROM选择( MPNMC = 0 )
16K字节 - 异步
4M字节 - SDRAM
16K字节 - 异步
4M字节 - SDRAM
16K字节 - 异步
4M字节 - 256K字节的SDRAM
#
192K字节
32K字节
( 32K - 192 )字节
内存块
MMR (保留)
BLOCK SIZE
32K字节
FFFFFF
†
‡
出的地址表示每个块中的第一个字节的地址。
双存取RAM ( DARAM ) :每个周期两次访问每块的8K字节的8块。
§
单访问RAM ( SARAM ) :每循环一次访问每块的8K字节的24块。
¶
外部存储器空间被选择出的芯片使能信号(CE [0:3 ])。支持的内存类型包括:异步静态
RAM(SRAM)和同步DRAM(SDRAM ) 。
#
零下256K字节由32K字节的DARAM / HPI访问, 32K字节的DARAM和192K字节的SARAM 。
||
只读存储器(ROM)中:一个访问每两个周期中,为32K字节的两个块。
图3-2 。 TMS320VC5509A存储器映射( PGE包)
34
SPRS205D
2002年11月 - 修订2005年1月