功能概述
3.1.4.2
GHH和ZHH封装存储器映射
该GHH和ZHH包党代表异步2M字节的线性地址21位地址
每个CE空间的回忆。由于地址的行/列复用，用于SDRAM器件的地址范围是
4M字节为每个CE空间。可与5509A在GHH或ZHH使用最大SDRAM器件
包是128M位的SDRAM 。
字节地址
（十六进制）
†
000000
0000C0
DARAM / HPI访问
008000
DARAM
‡
010000
SARAM
§
040000
外
¶
- CE0
400000
外
¶
- CE1
800000
外
¶
- CE2
C00000
外
¶
- CE3
FF0000
只读存储器
||
（如果MPNMC = 0）
FF8000
只读存储器
||
（如果MPNMC = 0）
FFC000
外
¶
- CE3
（如果MPNMC = 1）
16K字节
外
¶
- CE3
（如果MPNMC = 1）
16K字节
外
¶
- CE3
（如果MPNMC = 1）
2M字节 - 异步
4M字节 - SDRAM （ MPNMC = 1 ）
4M字节 - 64K字节，如果内部ROM选择（ MPNMC = 0 ）
2M字节 - 异步
4M字节 - SDRAM
2M字节 - 异步
4M字节 - SDRAM
2M字节 - 异步
4M字节 - 256K字节的SDRAM
#
192K字节
32K字节
（ 32K - 192 ）字节
内存块
MMR （保留）
BLOCK SIZE
32K字节
FFFFFF
†
‡
出的地址表示每个块中的第一个字节的地址。
双存取RAM （ DARAM ） ：每个周期两次访问每块的8K字节的8块。
§
单访问RAM （ SARAM ） ：每循环一次访问每块的8K字节的24块。
¶
外部存储器空间被选择出的芯片使能信号（CE [0：3 ]）。支持的内存类型包括：异步静态
RAM（SRAM）和同步DRAM（SDRAM ） 。
#
零下256K字节由32K字节的DARAM / HPI访问， 32K字节的DARAM和192K字节的SARAM 。
||
只读存储器（ROM）中：一个访问每两个周期中，为32K字节的两个块。
图3-3 。 TMS320VC5509A存储器映射（ GHH和ZHH包）
2002年11月 - 修订2005年1月
SPRS205D
35
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
