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T14M256A 参数 Datasheet PDF下载

T14M256A图片预览
型号: T14M256A
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内容描述: 32K ×8高速CMOS静态RAM [32K X 8 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 76 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
TE
CH
T14M256A
DC特点绝对最大额定值
参数
电源电压Vss的POTE微分方程边值问题
投入到VSS电
功耗
储存温度
等级
-0.5到+ 6
-0.5到+0.5的Vcc
1.0
-60到+150
单位
V
V
W
°
C
推荐工作条件
参数
符号
典型值
最大
单位
电源电压
VCC
Typ-5%
5
Typ+5%
V
V
IL
输入电压,低
-0.3
-
0.8
V
V
IH
输入电压,高
2.2
-
Vcc+0.3
V
T
A
°
C
环境温度
0
-
70
注意:
V
IL
(分) = -2.0V为脉冲宽度
20ns,
V
IH
(最大) = + 7.0V脉冲宽度
20ns.
真值表
CS
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
WE
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
I / O1- I / O8
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
VCC
I
SB ,
I
S B1
ICC
ICC
ICC
工作特性
(VCC = 5V
±
5 % , VSS = 0V ,TA = 0 〜70
°
C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
符号。
I
LI
I
LO
测试条件
VIN = VSS到Vcc
V
I / O
= VSS
到Vcc ,
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
-10
-
+10
uA
-10
-
+10
uA
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.4
-
125
120
110
100
90
15
2
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
CS
=
V
IH
V
OL
V
OH
or
OE
=
V
IH
or
WE
= V
IL
I
OL
= + 8.0毫安
I
OH
= - 4.0毫安
CS =
V
IL
, I / O = 0毫安
周期=分钟。
占空比= 100 %
-7
-8
-10
-12
-15
工作电源
电源电流
ICC
待机功耗
电源电流
I
S B
I
S B1
CS
=
V
IH
,周期= MIN ,占空比= 100 %
CS
VCC
-0.2V
注意:
典型的特征是在Vcc = 5V , TA = 25
°
C
台湾记忆体技术,公司保留权利
改变产品或规格,恕不另行通知。
P. 2
出版日期:九月2001年
修订: ğ