T14M256A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	T14M256A
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内容描述：	32K ×8高速CMOS静态RAM [32K X 8 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 76 K
品牌：	TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]

T14M256A

电容

（ VCC = 5V ，TA = 25

C，F = 1兆赫）

参数

输入电容

输入/输出电容

符号

条件

= 0V

OUT

= 0V

马克斯。

单位

I / O

注意：

这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

AC测试条件

参数

输入脉冲电平

输入上升和下降时间

输入和输出时序参考电平

输出负载

条件

0V至3V

3纳秒

1.5V

=30pF,

= -4mA / 8毫安

AC测试负载和波形

Z0 = 50欧

Fig.1

R1 480欧姆

产量

30pF

INCLUDING

夹具

范围

Fig.2

3.0V

90%

3ns

Fig.5

10%

3ns

255欧姆

5pF

INCLUDING

夹具

范围

255

欧姆

VT = 1.73V

30 pF的

Z0 = 50

欧姆

Fig.3

R1 480欧姆

欧姆

VT = 1.73V

5 pF的

产量

Fig.4

（对于T

CLZ

, T

OLZ

, T

CHZ

, T

OHZ

, T

WHZ

, T

)

90%

台湾记忆体技术，公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 3

出版日期：九月2001年

修订： ğ

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