tm
CLK
DQM
命令
TE
CH
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T4312816B
T7
T8
1间隔的Clk
NOP
NOP
班卡
激活
NOP
读了
写一个
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
： "H"或"L"
读取写入间隔
（突发长度
≥
4 ， CAS＃延迟= 2 ）
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
DQM
命令
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
NOP
NOP
读了
NOP
NOP
写B
NOP
NOP
NOP
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DIN B3
： "H"或"L"
读取写入间隔
（突发长度
≥
4 ， CAS＃延迟= 2 ）
爆没有自动预充电功能的读取可以通过BankPrecharge / PrechargeAll被打断
命令相同的银行。下图显示的最佳时间， BankPrecharge / PrechargeAll
命令在不同的CAS ＃延迟发出。
T0
CLK
银行，
柱A
银行，
ROW
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
地址
BANK （S ）
t
RP
命令
读了
NOP
NOP
NOP
预充电
NOP
NOP
激活
NOP
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
阅读到预充电
（ CAS＃延迟= 2 ，3）
5
阅读和AutoPrecharge命令
（ RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "H" ，BAS =银行， A10 = "H" ， A0 - A8 =列地址）
读取和AutoPrecharge命令会自动读取后进行预充电操作
操作。一旦该命令被给出，任何随后的命令可以在一个时间延迟不会发生
{t
RP
（分）
+突发长度} 。在整页突发，在该命令和自动预充电仅执行读取操作
功能被忽略。
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P. 7
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：二月2007年
修订版：A
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
