tm
TE
CH
T4312816B
6写命令
（ RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "L" ，BAS =银行， A10 = "L" ， A0 - A8 =列地址）
写命令用于从一个活动行写上一阵连续的时钟周期数据
有效的银行。银行必须至少激活吨
RCD
Write指令之前（分钟）发出。在写
连发，第一个有效数据的元素将被注册暗合了写命令。随后的数据
元素将在每个连续的正时钟沿（参照下图）中注册。 DQS的
仍与高阻抗在脉冲串的末端，除非另一个命令被启动。突发长度和
脉冲串序列是由模式寄存器，它已被编程来确定。一个全页突发会
继续下去，直到结束（在页面的结尾会换到第0列，并继续） 。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
COM命令
NOP
写一个
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ0 - DQ3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
不关心
所述第一数据元和所述写
被登记在同一个时钟边缘。
额外的数据被屏蔽。
突发写操作
（突发长度= 4 ，CAS＃延迟= 1，2， 3）
没有自动预充电功能的写突发可以通过后续的写入被中断，
BankPrecharge / PrechargeAll ，或突发长度结束前读命令。中断来自何处
写命令按照前面Write指令可以出现在任何时钟周期（参考下面的
图）。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
COM米，
NOP
写一个
写B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
1间隔的Clk
DQ 'S
DIN A0
DIN B0
DIN B 1
DIN B2
DIN B3
写是写中断
（突发长度= 4 ，CAS＃延迟= 1，2， 3）
读命令是不中断的自动预充电功能的写突发，应发出一份
后，其中的最后的数据中元素被登记在时钟边沿周期。为了避免数据冲突，输入
数据必须从所述第一读数据之前的至少一个时钟周期出现在输出的DQ被删除
（参见下图） 。一旦读命令是记录的，数据输入将被忽略，并写入
将不被执行。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
命令
NOP
写一个
阅读B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DIN A0
不关心
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DIN A0
不关心
不关心
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
输入数据的写入被屏蔽。
输入数据必须从DQ的至少一个时钟被删除
循环读取数据之前出现在输出端，以避免
数据争用。
写了一个读取中断
（突发长度= 4 ， CAS＃延迟= 2 ， 3 ）
TM科技公司保留权利
P. 8
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：二月2007年
修订版：A
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
