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TE
CH
T63H0006B
VD2 /过放电检测仪
该VD2正在监视VDD引脚的电压。当
在VDD电压超过过放电检测仪
从一个高的值与值低阈VDET2
比VDET2时， VD2能够感测
过放电和外部放电控制
NCH MOSFT变为“ OFF”的DOUT引脚被
在“L”电平。
要重置VD2与DOUT引脚电平幸福
检测后， “H”再一次过放它
需要一个充电器连接到电池组
T63H0006B 。当VDD电压保持在
过放电检测电压VDET2费
电流可以流过的外部寄生二极管
在VDD后放电控制MOSFET ，然后
电压出现时为比VDET2较大，
的Dout变成“H”和放电过程中会
可以通过ON状态的MOSFET提前进行
放电控制。
连接充电器给电池组使
的Dout的电平为“H”的瞬间时
VDD电压低于VDET2高。
此外，对于T63H0006B ，当电池电压
达到等于或大于过放电释放
电压，或VDET2 ，过放电状态可以是
同时发布。
对于过放电的输出的延迟时间
检测内部固定， tVDET2 = 10毫秒（典型值） 。在
VDD = 2.4V 。当VDD电平下降到
级别低于VDET2如果VDD电压将
是回内的一个电平比VDET2更高
的输出延迟时间的时间段，VD2不会
输出一个用于关断放电控制信号
FET 。
由VD2检测过放电后，
电源电流将减少到典型值。 0.15uA在
VDD = 2.0V ，并进入待机状态，只有充电器
检测器在运行。
DOUT引脚的输出类型为CMOS有“ H”
的VDD的水平和Vss的“ L”电平。
手术
VD1 /过充电检测
该VD1监控VDD引脚的电压。当
VDD电压超过过充电检测电压
从低值到比越高VDET1
VDET1中， VD1可以感测过充电和一个
外部充电控制N -MOS -FET转向
“关”与COUT引脚处于“L”的水平。
可以有两种情况重置VD1制作
经过检测COUT引脚电平为“H”再
过充电。重置VD1可以使充电
系统允许以恢复充电过程。
第一种情况是在这样的条件下，一个时
在VDD电压开始下降到一个较低的水平
比“ VREL1 ” 。而在第二种情况下，
连接后一种加载到VDD
断开从电池组充电器可以
使VD1复位时， VDD水平在
间“ VDET1 ”和“ VREL1 ” 。
之后，与VDD检测过充电
比VDET1更高，连接系统的电压
负载到电池组使得负载电流
许用通过外部充电的寄生二极管
控制用FET 。该Cout的水平将会很高时，
VDD电平开始下降到低于一个电平
VDET1通过负载电流连续图。
当VDD水平上升到一个更高的水平
比VDET1如果VDD电压将回
的一个时间周期内的水平比VDET1下
输出的延迟时间， VD1不会输出一个信号
用于关断充电控制用FET 。
在缓冲驱动器整合为一个电平转换器
cout的销使Cout的管脚的“ L”电平到V形
端子的电压与Cout的管脚的“ H”电平被设置为
VDD电压CMOS缓冲器
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出版日期：六月2004年
修订： B
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
