tm
TE
CH
应用电路
T63H0006B
+
R1
100欧姆
C1
0 .1 ü ˚F
4
牛逼63H 0006B
6
1
C2
0 .1 ü ˚F
3
R2
1千欧
-
2
5
VD3 /过电流检测仪，短路
保护者
无论是过电流检测器与短的
电路保护器工作时，两个控制
FET是在“ON”状态。当V-引脚
电压上升到一个值的短间
保护电压VSHORT / VDD和过量
当前阈VDET3 ，多余的电流
检测工作，并进一步飙升V-引脚
电压高于VSHORT使得短
电路保护功能。这导致外部
放电控制N沟道MOSFET的导通与关闭
DOUT引脚处于“L”的水平。
对于过电流的输出延迟时间
探测器内部固定， 11毫秒（典型值） 。在
VDD = 3.0V 。的V-引脚电平Aquick恢复
从内VSHORT和VDET3之间的值
的延迟时间保持放电控制用FET
住“H”的状态。
当负载短路保护电路被使能，
所述的Dout将是低的和它的延迟时间会
是5us的典型。
该V-引脚有一个内置的拉下拉电阻，
（典型值） 。 130kOhm与连接到Vss引脚。
过电流或短路后
被检测到的保护，去除的原因
过电流或外部短路，使一个
外部放电控制用FET至“ON”状态
自动与V-引脚电平被降低
通过拉下拉电阻与VSS电平
内置的内部。
如果VDD电压会比VDET2高
而此时检测到过电流的
T63H0006B不会进入待机模式，或
否则，如果降低VDD电压低于
VDET2将带领T63H0006B成
待机。
之后检测短路的T63H0006B
不会进入待机模式。
应用提示
R1和C1将稳定的电源电压，以
该T63H0006B 。推荐R1值
超过100欧姆以下。 R1引线的较大值
较高的检测电压，使得一些错误，
因为通过电流拍摄流入的
T63H0006B.
R2和C2将稳定一个V-引脚的电压。该
从过放电与连接一个复位
充电器有可能被更大的价值被禁用
R2.
建议值小于1kΩ的。
过充电检测，即使在连接后
电池组系统，也可能无法
允许系统绘制的负载电流由一个较大的
R2xC2时间在T63H0006B恒定。
推荐的C2值小于1uF的。
R1和R2可以在导致功耗
在T63H0006B功率耗散额定值
和总的“ R 1 + R ”应大于
1kOhm.
时间常数R1xC1或R2xC2绝
有关系，如下：
R1xC1<=R2xC2
因为万一那个R1xC1 ，时间常数
VDD引脚，会比R2xC2 ，时间大
常数V-引脚则T63H0006B可能
是进入待机模式中检测到过量的后
电流或短路电流。
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出版日期：六月2004年
修订： B
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
