TMC239 / TMC239A数据表（ V2.11 / 2009 -JUL- 30 ）
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选择功率晶体管
选择功率晶体管的TMC239取决于所需的电流，电压和热
条件。直接驱动大的晶体管与TMC239是由这些门容量的限制
晶体管。如果总的栅极电荷过高，坡时间的增加，并导致更高的开关
功耗。每个晶体管对最大25NC （N栅极电荷+ P门的总栅极电荷
充电） ，建议（在25NC ，绑脚SLP到GND得到一个可接受的斜率） 。下表
示出的晶体管，它们可以直接由TMC239来驱动的一个选择。最大的应用
当前主要是冷却和环境温度的函数。导通电阻与栅极电荷读
在6V的变频器额定电压和25 ℃。
所有这些晶体管类型通过它们的漏极连接的主要冷却。为了提供足够的
冷却后，将晶体管应直接连接到PCB上的大规模的痕迹而变宽
晶体管封装附近，提供一些平方厘米的铜区。热然后消散
垂直穿过PCB到大规模的电源或地平面上，其中应涵盖大部分的PCB板
区中，以使用整个印刷电路板进行冷却。作为一个例子，所需的最小PCB尺寸至
达到给定的电流， SI7501 ，即将42毫米* 42毫米，得到在该晶体管的热起来
约85 ℃的环境温度以上的包。用100毫米*百毫米PCB，这降低到
70℃以上的环境温度下，使安全操作是可能高达60 ℃的环境温度下在
最大电流（晶体管封装在130℃下） 。
推荐的晶体管列表
生产厂家
和类型
仙童半导体公司
FDD 8424 ħ
Siliconix公司
SI 7501 DN
TRINAMIC
TMC34NP
仙童半导体公司
FDS 8960
仙童半导体公司
FDS 8958一
Siliconix公司
SI 4539 ADY
Siliconix公司
SI 4532 ADY
仙童半导体公司
FDS 8333C
IRF 9952
（ / IRF 7509 ）
TRINAMIC
TMC32NP-MLP
Siliconix公司
SI 5504
TRINAMIC
TMC32NP2-
SM8
Siliconix公司
SI 4559 EY
包
（ #Trans ）
TO252-4
(1N,1P)
PPACK
(1N,1P)
PPACK
(1N,1P)
SO8
(1N,1P)
SO8
(1N,1P)
SO8
(1N,1P)
SO8
(1N,1P)
SO8
(1N,1P)
SO8
(1N,1P)
MLP
(1N,1P)
1206-8
(1N,1P)
SM8
(2N,2P)
SO8
(1N,1P)
最大。应用程序
阳离子电压
34V
28.5V
28.5V
34V
28.5V
28.5V
28.5V
28.5V
28.5V
28.5V
28.5V
28.5V
34V
or
58V
（见A / N ）
RDS
ON
[欧]
0.023
0.045
0.035
0.055
0.035
0.055
0.023
0.050
0.023
0.050
0.040
0.060
0.055
0.080
0.075
0.130
0.075
0.280
0.120
0.250
0.090
0.170
0.120
0.250
0.045
0.120
总闸门
充电[ NC ]
10
10
5.5
8.0
5.5
8.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.5
9.0
4.5
6.5
2.9
3.0
4.5
4.0
2.8
2.5
3.0
3.2
2.8
2.5
11
10
典型的最大
目前应用
6000mA
4200mA
(1)
4200mA
4000mA
4000mA
3500mA
3000mA
5000mA
（ 2水货）
2800mA
5000mA
（ 2水货）
2500mA
2300mA
4400毫安（ 2水货）
2000mA
2000mA
3000mA
2500毫安（在48V ）
(1)
(1)
(2)
(2)
备注
(1)
(2)
(3)
(3)
很
小！
(3)
很
小！
仅2
包！
(4)
（1）本P沟道晶体管具有非常高的漏极到栅极的能力，这可能引入
破坏性的电流冲击到HA / HB输出迫使他们上面的电源电平，
根据不同的低边斜率。为了确保可靠性，连接一个MSS1P3或ZHCS1000或
SS14 1A肖特基二极管或类似的HA和HB对VS的输出来保护他们。
（2 ）比较（1） ，但对于N沟道晶体管。保护LA / LB输出与一个肖特基二极管到GND 。
（ 3 ）较高的电流，并联两个设备，即用8双晶体管，而不是四个。
（ 4 ）请参阅应用笔记文档进行简单的扩展，在高达58V工作。
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