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SI9953DY 参数 Datasheet PDF下载

SI9953DY图片预览
型号: SI9953DY
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内容描述: 双P通道20 - V(D -S)的MOSFET [Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 49 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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Si9953DY
Vishay Siliconix公司
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55_C
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –10 V
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= -10 V,I
D
= 1 A
V
GS
= -4.5 V,I
D
= 0.5 A
V
DS
= -15 V,I
D
= –2.3 A
I
S
= -1.7 A,V
GS
= 0 V
–10
A
–1.5
0.12
0.22
2.5
–0.8
–1.2
0.25
0.40
W
S
V
–1.0
"100
–2
–25
V
nA
mA
符号
测试条件
典型值
a
最大
单位
通态漏电流
b
I
D(上)
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
r
DS ( ON)
g
fs
V
SD
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A, di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -10 V ,R
L
= 10
W
10 V,
I
D
^
-1 A,V
= -10 V R
G
= 6
W
1A
10 V,
V
DS
= –10 V, V
GS
= -10 V I
D
= –2.3 A
10 V
10 V,
23
6.7
1.3
1.6
10
12
20
10
70
40
40
90
50
100
ns
25
nC
C
笔记
一。通过设计保证,不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2
文档编号: 70138
S- 00652 -REV 。 K, 27 -MAR- 00