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SI9953DY 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SI9953DY
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内容描述: 双P通道20 - V(D -S)的MOSFET [Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 49 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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Si9953DY
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
源极 - 漏极二极管正向电压
20
1.0
导通电阻与栅极至源极电压
10
I
S
- 源电流( A)
T
J
= 150_C
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
)
0.8
I
D
= 2.3 A
0.6
T
J
= 25_C
0.4
0.2
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
阈值电压
0.8
30
单脉冲功率
0.6
I
D
= 250
µA
25
V
GS ( TH)
方差( V)
0.4
20
0.2
15
0.0
10
–0.2
5
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.010
0.100
1
10
30
–0.4
–50
T
J
- 温度( _C )
归瞬态热阻抗,结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项:
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间(秒)
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4
文档编号: 70138
S- 00652 -REV 。 K, 27 -MAR- 00