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| 型号: | AH216-00 |
| 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | O-XEMW-F2 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.12 |
| 最小击穿电压： | 22 V |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管电容容差： | 20% |
| 标称二极管电容： | 3 pF |
| 二极管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带： | VERY HIGH FREQUENCY TO KA BAND |
| JESD-30 代码： | O-XEMW-F2 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | MICROWAVE |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最小质量因数： | 2000 |
| 最大反向电流： | 0.1 µA |
| 反向测试电压： | 10 V |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | END |
| 变容二极管分类： | HYPERABRUPT |
| Base Number Matches： | 1 |
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