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  • ALN02TB1R5K图
  • 深圳德田科技有限公司

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ALN64535产品参数
型号:ALN64535
生命周期:Active
包装说明:MICROWAVE, O-CRMW-F4
针数:4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.78
其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.06 A
基于收集器的最大容量:0.6 pF
集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50
最高频带:S BAND
JESD-30 代码:O-CRMW-F4
元件数量:1
端子数量:4
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND
封装形式:MICROWAVE
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.3 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):8500 MHz
Base Number Matches:1
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