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  • APT50GF60LRD图
  • 深圳市欧瑞芯电子有限公司

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  • APT50GF60LRD
  • 数量7000 
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  • 封装TO-3P 
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  • APT50GF60LRD图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • APT50GF60LRD
  • 数量78800 
  • 厂家APT 
  • 封装TO-247-3 
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APT50GF60LRD产品参数
型号:APT50GF60LRD
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:TO-264AA
包装说明:,
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.61
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):50 A
集电极-发射极最大电压:600 V
门极发射器阈值电压最大值:6.5 V
门极-发射极最大电压:20 V
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):300 W
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
Base Number Matches:1
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