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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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BAV70T1产品参数
型号:BAV70T1
生命周期:Active
IHS 制造商:NEXPERIA
包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.83
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.15 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.17 W
参考标准:AEC-Q101; IEC-60134
最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
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