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BDX33C产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:TRANS NPN DARL 100V 10A TO220AB

详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 10A 70W Through Hole TO-220AB

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:管件

零件状态:停產

晶体管类型:NPN - 达林顿

电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):2.5V @ 6mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值):500µA

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):750 @ 3A,3V

功率 - 最大值:70W

频率 - 跃迁:-

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB

基本零件编号:BDX33

标准包装:50

其它名称:BDX33C-ND BDX33COS

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