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| 型号: | BQ4010LYEBZ-70N |
| Brand Name： | Texas Instruments |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | , MODULE,34LEAD,1.0 |
| 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.83 |
| 最长访问时间： | 70 ns |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-T28 |
| 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8KX8 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装等效代码： | MODULE,34LEAD,1.0 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.001 A |
| 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL |
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