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BQ4010MA-85产品参数

品牌:Texas Instruments

描述:IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP

详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 64Kb (8K x 8) 并联 85ns 28-DIP 模块(18.42x37.72)

制造商:Texas Instruments

系列:-

包装:托盘

零件状态:停產

存储器类型:非易失

存储器格式:NVSRAM

技术:NVSRAM(非易失性 SRAM)

存储容量:64Kb (8K x 8)

写周期时间 - 字,页:85ns

访问时间:85ns

存储器接口:并联

电压 - 电源:4.75 V ~ 5.5 V

工作温度:0°C ~ 70°C(TA)

安装类型:通孔

封装/外壳:28-DIP 模块(0.61",15.49mm)

供应商器件封装:28-DIP 模块(18.42x37.72)

基本零件编号:BQ4010

标准包装:14

其它名称:296-9389-5

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