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产品型号BSM200GB120的Datasheet PDF文件预览

BSM 200 GB 120 DL  
IGBT Power Module  
Preliminary data  
• Low Loss IGBT  
• Low inductance halfbridge  
• Including fast free- wheeling diodes  
• Package with insulated metal base plate  
Type  
V
I
Package  
Ordering Code  
CE  
C
BSM 200 GB 120 DL  
1200V 340A HALF-BRIDGE 2  
C67076-A2300-A70  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-gate voltage  
V
V
1200  
V
CE  
CGR  
R
= 20 k  
1200  
± 20  
GE  
Gate-emitter voltage  
DC collector current  
V
GE  
I
I
A
C
T = 25 °C  
340  
200  
C
T = 80 °C  
C
Pulsed collector current, t = 1 ms  
p
Cpuls  
T = 25 °C  
680  
400  
C
T = 80 °C  
C
Power dissipation per IGBT  
P
W
tot  
T = 25 °C  
1400  
+ 150  
C
Chip temperature  
T
°C  
j
Storage temperature  
T
-40 ... + 125  
stg  
Thermal resistance, chip case  
Diode thermal resistance, chip case  
Insulation test voltage, t = 1min.  
Creepage distance  
R
R
0.09  
0.18  
K/W  
thJC  
thJCD  
is  
V
-
2500  
Vac  
mm  
20  
Clearance  
-
11  
DIN humidity category, DIN 40 040  
IEC climatic category, DIN IEC 68-1  
-
F
sec  
-
40 / 125 / 56  
Semiconductor Group  
1
Feb-14-1997  
BSM 200 GB 120 DL  
Electrical Characteristics  
Parameter  
= 25 °C, unless otherwise specified  
, at T  
j
Symbol  
Values  
Unit  
min.  
typ.  
max.  
Static Characteristics  
Gate threshold voltage  
V
V
V
GE(th)  
V
= V  
I = 8 mA  
CE, C  
4.5  
5.5  
6.5  
GE  
Collector-emitter saturation voltage  
CE(sat)  
V
V
= 15 V, I = 200 A, T = 25 °C  
-
-
2.2  
2.5  
2.6  
3
GE  
GE  
C
j
= 15 V, I = 200 A, T = 125 °C  
C
j
Zero gate voltage collector current  
I
I
mA  
nA  
CES  
GES  
V
V
= 1200 V, V  
= 1200 V, V  
= 0 V, T = 25 °C  
-
-
-
-
10  
-
CE  
GE  
j
= 0 V, T = 125 °C  
CE  
GE  
j
Gate-emitter leakage current  
= 20 V, V = 0 V  
V
-
-
400  
GE  
CE  
AC Characteristics  
Transconductance  
g
S
fs  
V
= 20 V, I = 200 A  
110  
-
-
-
-
-
CE  
C
Input capacitance  
= 25 V, V = 0 V, f = 1 MHz  
C
C
C
nF  
iss  
V
-
-
-
13  
2
CE  
GE  
Output capacitance  
= 25 V, V = 0 V, f = 1 MHz  
oss  
rss  
V
CE  
GE  
Reverse transfer capacitance  
= 25 V, V = 0 V, f = 1 MHz  
V
1
CE  
GE  
Semiconductor Group  
2
Feb-14-1997  
BSM 200 GB 120 DL  
Electrical Characteristics  
Parameter  
= 25 °C, unless otherwise specified  
, at T  
j
Symbol  
Values  
Unit  
min.  
typ.  
max.  
Switching Characteristics, Inductive Load at T = 125 °C  
j
Turn-on delay time  
t
t
t
t
ns  
d(on)  
V
= 600 V, V  
= 15 V, I = 200 A  
C
CC  
GE  
R
= 4.7  
-
-
-
-
160  
80  
-
-
-
-
Gon  
Rise time  
= 600 V, V  
r
V
= 15 V, I = 200 A  
C
CC  
GE  
R
= 4.7 Ω  
Gon  
Turn-off delay time  
d(off)  
V
= 600 V, V  
= -15 V, I = 200 A  
C
CC  
GE  
R
= 4.7 Ω  
550  
90  
Goff  
Fall time  
= 600 V, V  
f
V
= -15 V, I = 200 A  
C
CC  
GE  
R
= 4.7 Ω  
Goff  
Free-Wheel Diode  
Diode forward voltage  
V
V
F
I = 200 A, V  
= 0 V, T = 25 °C  
-
-
2.3  
1.8  
2.8  
-
F
GE  
j
I = 200 A, V  
= 0 V, T = 125 °C  
j
F
GE  
Reverse recovery time  
I = 200 A, V = -600 V, V = 0 V  
GE  
t
µs  
µC  
rr  
F
R
di /dt = -2000 A/µs, T = 125 °C  
-
0.5  
-
F
j
Reverse recovery charge  
I = 200 A, V = -600 V, V = 0 V  
GE  
Q
rr  
F
R
di /dt = -2000 A/µs  
F
T = 25 °C  
-
-
10  
25  
-
-
j
T = 125 °C  
j
Semiconductor Group  
3
Feb-14-1997  
BSM 200 GB 120 DL  
Power dissipation  
Safe operating area  
ƒ
ƒ
V
C = (  
P
T
I
tot = (  
)
)
CE  
C
150 °C  
T
D
, T  
T
parameter: = 0 C = 25°C ,  
j
parameter:  
150 °C  
j
10 3  
t
= 42.0µs  
1500  
W
p
1300  
Ptot 1200  
1100  
1000  
900  
A
100 µs  
IC  
10 2  
10 1  
10 0  
800  
1 ms  
700  
600  
500  
400  
10 ms  
300  
200  
100  
0
DC  
10 3  
0
20  
40  
60  
80 100 120 °C 160  
TC  
10 0  
10 1  
10 2  
V
VCE  
Collector current  
Transient thermal impedance IGBT  
ƒ
ƒ
t
I
T
Z
th JC = ( p)  
C = (  
)
C
V
T
D = t  
T
/
p
parameter:  
15 V ,  
150 °C  
parameter:  
GE  
j
10 0  
K/W  
340  
A
10 -1  
280  
IC  
ZthJC  
240  
200  
160  
120  
80  
10 -2  
10 -3  
10 -4  
D = 0.50  
0.20  
0.10  
0.05  
0.02  
single pulse  
0.01  
40  
10 -5  
10 -5  
0
0
20  
40  
60  
80 100 120 °C 160  
TC  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 -1 s 10 0  
tp  
Semiconductor Group  
4
Feb-14-1997  
BSM 200 GB 120 DL  
Typ. output characteristics  
IC = f (VCE  
Typ. output characteristics  
IC = f (VCE  
)
)
parameter: tp = 80 µs, Tj = 25 °C  
parameter: tp = 80 µs, Tj = 125 °C  
400  
400  
A
A
17V  
17V  
15V  
15V  
IC  
IC  
13V  
13V  
300  
11V  
300  
11V  
9V  
7V  
9V  
7V  
250  
250  
200  
150  
100  
200  
150  
100  
50  
0
50  
0
0
1
2
3
V
5
0
1
2
3
V
5
VCE  
VCE  
Typ. transfer characteristics  
IC = f (VGE  
)
parameter: tp = 80 µs, VCE = 20 V  
400  
A
IC  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
0
0
2
4
6
8
10  
V
14  
VGE  
Semiconductor Group  
5
Feb-14-1997  
BSM 200 GB 120 DL  
Typ. capacitances  
C f V  
Typ. gate charge  
ƒ
= (  
)
V
Q
GE = (  
)
CE  
Gate  
I
parameter: C puls = 200 A  
V
parameter: GE = 0 V, f = 1 MHz  
10 2  
20  
V
nF  
16  
VGE  
C
Ciss  
600 V  
800 V  
14  
12  
10  
8
10 1  
10 0  
10 -1  
Coss  
Crss  
6
4
2
0
0
200  
400  
600  
800 1000  
1400  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
V
40  
VCE  
QGate  
Reverse biased safe operating area  
ICpuls = f(VCE  
Short circuit safe operating area  
ICsc = f(VCE) ,  
)
Tj = 150°C  
Tj = 150°C  
,
V
V
t
parameter: GE = ± 15 V,  
SC  
parameter: GE = 15 V  
10 µs, L < 25 nH  
2.5  
12  
ICpuls  
I
ICsc I  
/
C
/
C
di/dt = 1000A/µs  
3000A/µs  
8
6
4
5000A/µs  
1.5  
1.0  
° allowed number of  
short circuit: <1000  
° time between short  
circuit: >1s  
0.5  
0.0  
2
0
0
200 400 600 800 1000 1200  
V
VCE  
1600  
0
200 400 600 800 1000 1200  
V
VCE  
1600  
Semiconductor Group  
6
Feb-14-1997  
BSM 200 GB 120 DL  
Typ. switching time  
Typ. switching time  
I = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C  
par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, RG = 4.7 Ω  
t = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C  
par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, IC = 200 A  
10 4  
10 4  
ns  
ns  
tdoff  
t
t
10 3  
10 3  
tdoff  
tdon  
tr  
tdon  
tr  
tf  
10 2  
10 2  
tf  
10 1  
10 1  
0
100  
200  
300  
A
500  
0
10  
20  
30  
40  
60  
IC  
RG  
Typ. switching losses  
E = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C  
Typ. switching losses  
E = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C  
par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, RG = 4.7 Ω  
par.: VCE = 600V, VGE = ± 15 V, IC = 200 A  
130  
mWs  
110  
130  
Eon  
mWs  
110  
E
E
100  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
90  
80  
70  
60  
Eoff  
50  
40  
30  
20  
Eoff  
20  
10  
0
10  
0
Eon  
100  
0
200  
300  
A
500  
0
10  
20  
30  
40  
60  
IC  
RG  
Semiconductor Group  
7
Feb-14-1997  
BSM 200 GB 120 DL  
Forward characteristics of fast recovery  
Transient thermal impedance Diode  
ƒ
reverse diode I = f(V )  
Zth JC = (tp)  
F
F
parameter: D = tp / T  
parameter: Tj  
10 0  
400  
A
K/W  
ZthJC  
10 -1  
IF  
300  
250  
200  
150  
100  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
10 -2  
D = 0.50  
0.20  
0.10  
0.05  
10 -3  
0.02  
single pulse  
0.01  
50  
0
10 -4  
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
V
3.0  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 -1 s 10 0  
tp  
VF  
Semiconductor Group  
8
Feb-14-1997  
BSM 200 GB 120 DL  
Circuit Diagram  
Package Outlines  
Dimensions in mm  
Weight: 420 g  
Semiconductor Group  
9
Feb-14-1997  
配单直通车
BSM200GB120DL产品参数
型号:BSM200GB120DL
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:EUPEC GMBH & CO KG
包装说明:MODULE
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.1
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):200 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-PXFM-X
元件数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
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