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  • BSM50GD60DLC_E3226图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • BSM50GD60DLC_E3226
  • 数量1880 
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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 厂家INFINEON 
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  • 原装现货热卖!请联系吴先生 13681678667
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  • 深圳市珩瑞科技有限公司

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  • 数量563 
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  • ■■■全新原装房间现货 可长期供货
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BSM50GD60DN2产品参数
型号:BSM50GD60DN2
生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-T17
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.62
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):50 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值:6.5 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-T17
元件数量:6
端子数量:17
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:1200 W
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:2.7 V
Base Number Matches:1
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