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  • BSM75GAR120DN2HOSA1图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • BSM75GAR120DN2HOSA1
  • 数量26 
  • 厂家INFINEON 
  • 封装模块 
  • 批号21+ 
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  • QQ:97671956
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  • BSM75GAR120DN2HOSA1图
  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • BSM75GAR120DN2HOSA1
  • 数量29500 
  • 厂家Infineon Technologies 
  • 封装IGBT MOD 1200V 30A 235W 
  • 批号21+ 
  • 只做原装现货代理
  • QQ:1211267741QQ:1034782288
  • 159-7688-9073 QQ:1211267741QQ:1034782288
  • BSM75GAR120DN2HOSA1图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • BSM75GAR120DN2HOSA1
  • 数量660000 
  • 厂家Infineon(英飞凌) 
  • 封装原厂原装 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
  • QQ:3008961398
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  • BSM75GAR120DN2HOSA1图
  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • BSM75GAR120DN2HOSA1
  • 数量8500 
  • 厂家INFINEON/英飞凌 
  • 封装 
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  • 全新原装挺实单欢迎来撩/可开票
  • QQ:1092793871
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配单直通车
BSM75GAR120DN2HOSA1产品参数
型号:BSM75GAR120DN2HOSA1
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.62
最大集电极电流 (IC):75 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-XUFM-X7
元件数量:1
端子数量:7
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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